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题名 作者 出处 被引量 操作
单晶Tm_2O_3高k栅介质漏电流输运机制研究杨晓峰[1,2];谭永胜[2];方泽波[2《功能材料》1
单晶Tm_2O_3薄膜的制备与F-N隧穿机制杨百良[1];杨晓峰[1];刘士彦[1]《河北师范大学学报:自然科学版》0
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