文献类型：期刊文献

中文题名：单晶Tm_2O_3高k栅介质漏电流输运机制研究

英文题名：Leakage current mechanisms of single-crystalline Tm_2O_3 high-k gate dielectrics

作者：杨晓峰[1,2];谭永胜[2];方泽波[2,3];冀婷[3];汪建军[2];陈太红[1]

机构：[1]西华师范大学物理与电子信息学院;[2]绍兴文理学院数理信息学院;[3]复旦大学应用表面物理国家重点实验室

年份：2012

卷号：43

期号：B11

起止页码：318

中文期刊名：功能材料

外文期刊名：Journal of Functional Materials

收录：CSTPCD、、北大核心2011、EI(收录号：20130615996703)、Scopus(收录号：2-s2.0-84873126144)、CSCD2011_2012、北大核心、CSCD

基金：国家自然科学基金资助项目(60806031;11004130;51272159);浙江省自然科学基金资助项目(Y6100596);上海市重点基础研究资助项目(10JC1405900)

语种：中文

中文关键词：单晶Tm2O3薄膜;高k栅介质;肖特基发射;Frenkel-Poole发射

外文关键词：single-crystalline Tm2O3 thin films; high-k gate dielectrics; Schottky emission; Frenkel-Poole conduction

中文摘要：利用分子束外延技术在p型Si(001)衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜,分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明,单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖特基发射,而在负偏压下的主要漏电流输运机制为Frenkel-Poole发射。

外文摘要：The current-voltage characteristics of the single-crystalline Tin2O3 high-k gate dielectric thin films, which were epitaxially grown on p-Si（001） substrates by molecular beam epitaxy, have been measured at different temperatures. Temperature-dependent leakage current measurements indicate that Schottky emission was the dominant transport mechanism in the Tm2O3 dielectric films at positive biases, while Frenkel-Poole conduction is the main reason for the leakage currents at negative biases.