文献类型：期刊文献

中文题名：电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)

英文题名：Direct Tunneling and Storage of Electrons in Ni Nanocrys-tals Embedded within MOS Structure

作者：倪鹤南[1,2];吴良才[3];宋志棠[3];惠唇[1]

机构：[1]上海交通大学,上海200030;[2]绍兴文理学院,浙江绍兴312000;[3]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

年份：2012

卷号：41

期号：1

起止页码：1

中文期刊名：稀有金属材料与工程

外文期刊名：Rare Metal Materials and Engineering

收录：SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000301216500001)、CSTPCD、、北大核心2011、EI(收录号：20120814790161)、Scopus(收录号：2-s2.0-84857074984)、CSCD2011_2012、WOS、北大核心、CSCD

基金：Nature Science Foundation of Zhejiang Province of China (Y4090148); National Nature Science Foundation of China (60776058)

语种：中文

中文关键词：纳米晶存储器;镍纳米晶;MOS;结构;电荷存储特性

外文关键词：nanocrystal memory; Ni NCs; MOS structure; charge storage properties

中文摘要：研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性。结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在 MOS 结构中。

外文摘要：Recently, nanocrystal nonvolatile memory （NVM） devices using nanocrystals （NCs） have attracted great research interest. In this work, we investigated the feasibility of Ni nanocrystals embedded in metal–oxide–semiconductor （MOS） capacitor structure for NVM application. Ni NCs embedded in the gate oxide was fabricated. Ni nanocrystals with an average size of 7 nm and density of 1.5×1012 cm-2 were synthesized by e-beam evaporation technique followed by rapid thermal annealing. Distinct frequency-dependent capacitance peaks were observed. High-frequency capacitance versus voltage （C-V） and conductance versus voltage （G-V） measurements were also characterized. These results demonstrate that electrons can be loaded onto Ni nanocrystals by direct tunneling and can be stored in the fabricated MOS structure.