文献类型：期刊文献

中文题名：Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究

英文题名：Band shifts of Tm_2O_3 films epitaxially grown on Si substrates

作者：汪建军[1,2];方泽波[2];冀婷[3];朱燕艳[3];任维义[1];张志娇[1]

机构：[1]西华师范大学物理与电子信息学院;[2]绍兴文理学院物理系;[3]复旦大学应用表面物理国家重点实验室

年份：2012

卷号：61

期号：1

起止页码：470

中文期刊名：物理学报

外文期刊名：Acta Physica Sinica

收录：CSTPCD、、北大核心2011、Scopus、CSCD2011_2012、北大核心、CSCD

基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60806031, 11004130), the Natural Science Foundation of Zhejiang Province, China (Grant No.Y6100596), and the Key Fundamental Project of Shanghai (Grant No. 10JC1405900).

语种：中文

中文关键词：Tm_2O_3;X射线光电子能谱;能带偏移

外文关键词：Tm_2O_3; s-ray photoelectron spectroscopy; band offsets

中文摘要：利用分子束外延系统在Si(001)衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.

外文摘要：The single crystalline Tm_2O_3 films are deposited on Si（001） substrates by molecular beam epitaxy,by using x-ray photoelectron spectroscopy,the valence and the conduction-band shifts of Tm_2O-3 to Si are obtained to be 3.1±0.2 eV and 1.9±0.3 eV,respectively. The energy gap of Er_2O_3 is determined to be 6.1±0.2 eV.The results of the study show that the Tm_2O_3 could be a promising candidate for high-κgate dielectrics.