文献类型：专利

中文题名：高结晶质量N型Ag掺杂PbTe基热电薄膜的制备方法

作者：吴海飞[1];余亚东[1];徐珊瑚[1];

机构：[1]绍兴文理学院;

专利类型：发明专利

申请号：CN201710177354.7

申请日：20170323

申请人地址：312000 浙江省绍兴市越城区城南大道900号

公开日：20170623

代理人：李静

代理机构：11548 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)

语种：中文

中文关键词：制备;热电薄膜;重构;热电性能;低维;掺杂;分子束外延法;周期性晶格;薄膜材料;薄膜结晶;热电材料;制备条件;掺杂量;大尺度;高结晶;基材料;量子点;量子阱;未掺杂;平铺;薄膜;生长;应用;优化

中文摘要：本发明涉及一种具有(2×2)重构表面的高结晶质量N型Ag掺杂PbTe基热电薄膜的制备方法，Ag的掺杂量≤5％。采用分子束外延法来实现薄膜的制备，通过优化制备条件，Ag掺杂PbTe基热电薄膜可实现层状平铺生长，且表面发生的(2×2)重构，薄膜结晶质量、热电性能均优于未掺杂的PbTe热电薄膜；本发明表面(2×2)重构还可为基于PbTe薄膜材料的量子点、量子阱等低维结构的制备提供大尺度周期性晶格模板，并应用于低维高性能PbTe基热电材料的制备，以进一步提高PbTe基材料的热电性能。