文献类型：专利

中文题名：基于相变量子点的存储器件及其制备方法

作者：倪鹤南[1];吴良才[1];李志彬[1];王艳智[1];龚路鸣[1];

机构：[1]绍兴文理学院;

专利类型：发明专利

申请号：CN201410152490.7

申请日：20140416

申请人地址：312000 浙江省绍兴市环城西路508号

公开日：20140709

代理人：应圣义

代理机构：杭州裕阳专利事务所(普通合伙)

语种：中文

中文关键词：量子点;相变;电极;薄膜层;阻挡层;半导体衬底;存储器;电荷;俘获;供电;可逆转变;信息存储;制备方法;非晶态;晶态

中文摘要：本发明公开一种基于相变量子点的存储器件及其制备方法，其中基于相变量子点的存储器件包括半导体衬底、隧穿层、相变量子点薄膜层、阻挡层、第一电极以及第二电极。隧穿层设置于半导体衬底。相变量子点薄膜层设置于隧穿层，相变量子点薄膜层包括相变量子点，相变量子点可通过俘获隧穿电荷以及晶态和非晶态间的可逆转变来实现信息存储。阻挡层设置于所述相变量子点薄膜层，阻挡层可阻挡相变量子点俘获的电荷进入第一电极。第一电极给阻挡层供电。第二电极给半导体衬底供电。