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垂直法制备三维光子晶体研究    

文献类型:会议论文

中文题名:垂直法制备三维光子晶体研究

作者:马锡英[1];闫志君[1];施维林[1];袁宝合[1];

机构:[1]绍兴文理学院物电系光电材料研究所,浙江,绍兴,312000;

会议论文集:第五届全国夜视技术交流会暨2005年全国瞬态光学与光子技术交流会会议论文集

会议日期:2005年10月01日

会议地点:云南西双版纳

主办单位:中国兵工学会

语种:中文

中文关键词:光子晶体;垂直生长;纳米二氧化硅;光子带隙;胶体合成;退火温度

中文摘要:本文报道了应用胶体合成方法和垂直生长技术以正硅酸乙酯为前驱物在石英衬底上快速层-层自组装了面心立方(fcc)结构的三维光子晶体.透射电镜观察到合成的溶胶液含有单分散的、粒径为235nm的SiO2纳米球;应用扫描电镜观察了自组装光子晶体的表面和断面结构,发现SiO2小球以(111)密排面层层堆积为面心立方(fcc)的光子晶体.紫外-可见光透射/反射谱测量发现在534nm处出现一个很强的透射谷/反射峰,表明该光子晶体在534nm的可见光范围内存在一个较宽的光学带隙(PBG).进一步还研究了退火温度对光子带隙的影响,发现随退火温度的升高,光子带隙向高光子能方向移动。

参考文献:

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