文献类型：期刊文献

中文题名：退火对非晶ErAlO高k栅介质薄膜特性的影响

英文题名：Effect of Annealing on ErAlO Amorphous High-k Gate Dielectric Films Properties

作者：陈伟[1];方泽波[2]

机构：[1]西华师范大学物理与电子信息学院;[2]绍兴文理学院物理与电子信息系

年份：2010

卷号：31

期号：1

起止页码：38

中文期刊名：西华师范大学学报：自然科学版

基金：国家自然青年科学基金资助项目(60806031);浙江绍兴市重点科研项目(2007A21015)

语种：中文

中文关键词：高k栅介质;ErAlO;氧气退火

外文关键词：high-k gate dielectric ; ErAIO ; 02 annealing

中文摘要：利用射频磁控溅射法在P型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3(ErAlO)栅介质薄膜,得到了电学特性优异的薄膜样品,对薄膜的退火研究发现,600℃氧气氛退火可使ErAlO薄膜的介电常数得到了提高并使其漏电流特性也得到改善,退火后样品的有效介电常数达到了15,在-1.5V偏压下,漏电流密度仅为2.0×10-7A/cm2.氧气退火消除了薄膜中原有的缺陷,并使得薄膜更加致密,表面更加平整.

外文摘要：Amorphous Er2O3 -Al2O3 （ErAlO） dielectric films have been fabricated by reactive radio frequency sputtering method. It is found that the films show excellent electric properties. The dielectric constant of ErAIO with annealing in O2 ambient is found to be 15,and leakage current is 2.0×10^-7 A/cm2 at Vg = - 1.5 V. It may be accounted that O2 annealing can eliminate defects in the ErAlO dielectric films and make the films compacter and smoother.