文献类型：专利

中文题名：二维光子晶体选择性辐射器及制备方法

作者：谭永胜[1];李秀东[1];方泽波[1];

机构：[1]绍兴文理学院;

专利类型：发明专利

申请号：CN201711171711.5

申请日：20171122

申请人地址：312000 浙江省绍兴市环城西路508号

公开日：20210903

代理人：郭云梅

代理机构：33285 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙)

语种：中文

中文关键词：基体材料;二维光子晶体;二硅化钛;选择性辐射;制备;薄膜沉积技术;硅基集成电路;基体材料表面;周期性孔洞;薄膜沉积;表面刻蚀;制备工艺;硅材料;产线;刻蚀;薄膜

中文摘要：本发明涉及一种二维光子晶体选择性辐射器及制备方法，其中包括基体材料和形成于所述基体材料表面的二硅化钛薄膜，所述基体材料为硅材料，所述基体材料的表面刻蚀形成周期性孔洞阵列，所述二硅化钛薄膜沉积于所述基体材料的表面后形成硅/二硅化钛二维光子晶体。本发明以硅的刻蚀与薄膜沉积技术为基础制备二维光子晶体选择性辐射器，可以充分利用硅基集成电路制备工艺及现有产线，大幅降低生产成本。