文献类型：期刊文献

中文题名：La基高k栅介质的研究进展

英文题名：Development of La-Based High-k Gate Dielectric

作者：陈伟[1,2];方泽波[2];马锡英[2];谌家军[1];宋经纬[1,2]

机构：[1]西华师范大学物理与电子信息学院;[2]绍兴文理学院物理与电子信息系

年份：2010

卷号：47

期号：5

起止页码：282

中文期刊名：微纳电子技术

外文期刊名：Micronanoelectronic Technology

收录：CSTPCD、、北大核心2008、北大核心

基金：国家自然科学青年基金项目(60806031);国家自然科学基金项目(60776004);绍兴市重点科研项目(2007A21015)

语种：中文

中文关键词：高k栅介质;La基氧化物;二氧化硅;金属氧化物半导体场效应晶体管;摩尔定律

外文关键词：high-k gate dielectric; La-based oxide; SiO2; MOSFET; Moore′s Law

中文摘要：SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料。La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程。

外文摘要：SiO2 will no longer meet the requirements of high integration of MOSFET devices,and high-k materials as gate dielectrics become a research focus.The satisfied various performance indexes and the research significance of high-k gate dielectric materials are described.The latest developments of La-based high-k gate dielectric materials are summarized,and some experimental methods are used to correct the drawbacks of La-based high-k gate dielectric materials.Several La-based high-k materials of the next generation of MOSFET gate dielectrics are predicted.The researches of La-based high-k materials for replacing SiO2 in the chip process provide excellent candidate materials and theoretical guidance,and this is an urgent and vast project.