文献类型：专利

中文题名：一种窄带热辐射器及其制作方法

作者：谭永胜[1];李秀东[1];

机构：[1]绍兴文理学院;

专利类型：发明专利

申请号：CN201910549662.7

申请日：20190624

申请人地址：312000 浙江省绍兴市环城西路508号

公开日：20190924

代理人：焦亚如

代理机构：33285 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙)

语种：中文

中文关键词：二硅化钛;热辐射器;窄带;薄膜;硅基体;二氧化硅薄膜;高温稳定性;周期性排布;硅基工艺;红外光谱;接触特性;热稳定性;图形阵列;保护层;兼容性;底面;刻蚀;量产;沉积;覆盖;制作;裸露;侧面

中文摘要：本发明涉及一种窄带热辐射器及其制作方法，其中窄带热辐射器包括硅基体，硅基体的表面通过刻蚀形成周期性排布的图形阵列，图形的底面以及侧面沉积有二硅化钛薄膜，二氧化硅薄膜覆盖二硅化钛薄膜以及裸露的硅基体表面。本发明所设计的窄带热辐射器采用硅基工艺制作而成，兼容性强，适合量产；采用二硅化钛薄膜可以获得极窄的红外光谱，二硅化钛薄膜与硅具有良好的接触特性，可以增强高温稳定性；又通过覆盖二氧化硅薄膜作为保护层进一步提高了器件的工作温度，令整个窄带热辐射器的热稳定性更加理想。