文献类型：会议论文

中文题名：脉冲激光方法制备的Ge纳米晶体的光探测特性

作者：马锡英[1];施维林[1];

机构：[1]绍兴文理学院光电材料研究所;

会议论文集：全国第十二次光纤通信暨第十三届集成光学学术会议论文集

会议日期：20051100

会议地点：中国广东四会

主办单位：中国光学学会纤维光学与集成光学专业委员会;中国通信学会光通信委员会;中国电子学会通信学分会

语种：中文

中文关键词：Ge纳米晶体;光致发光;光电流;相应率

中文摘要：本文应用脉冲激光沉积方法(PLD)及原位600℃快速退火30分钟在 Si(100)衬底上生长Ge纳米晶体,通过原子力显微镜观察了生长的Ge纳米晶体的表面形貌。应用光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了Ge纳米晶体的发光和光探测性能。发光谱上在0．8 eV附近出现很强发光峰,并且随Ge纳米晶体尺寸的减小发光峰出现显著的蓝移,表明Ge纳米晶体具有很强的量子限域效应:Ge量子点的光电流谱和光响应谱中