文献类型：专利

中文题名：一种氧化镱光子晶体选择性辐射器

作者：李秀东[1];谭永胜[1];方泽波[1];

机构：[1]绍兴文理学院;

专利类型：发明专利

申请号：CN201610836245.7

申请日：20160921

申请人地址：312000 浙江省绍兴市越城区环城西路508号

公开日：20161214

代理人：蒋卫东

代理机构：绍兴市越兴专利事务所(普通合伙)

语种：中文

中文关键词：基体材料;氧化镱;二维光子晶体;光电转换效率;红外辐射特性;热光伏系统;选择性辐射;周期性孔洞;薄膜表面;光子晶体;热辐射;碳化硅;整列;沉积;薄膜

中文摘要：本发明涉及一种氧化镱光子晶体选择性辐射器，属于热辐射技术领域，包括基体材料和沉积在基体材料上的氧化镱薄膜，基体材料为碳化硅，氧化镱薄膜表面通过光刻刻蚀出周期性孔洞整列，形成二维光子晶体。本发明具有优异的选择性红外辐射特性，可以大幅提高热光伏系统的光电转换效率。